Táto bakalárska práca sa zaoberá identifikáciou pascí v komerčne dostupných Schottkyho diódach na báze SiC Fourierovou spektroskopiou hlbokých hladín (DLTFS). Experiment sme vykonali na troch identických vzorkách diód STPSC 40065 C. V skúmaných vzorkách sme identifikovali 33 pascí, z ktorých bolo 12 elektrónových a 21 dierových. Časť porúch bola počas merania vyžíhaná. Identifikovali sme prítomnosť porúch ako sú napr. kremíkové a uhlíkové vakancie a intersticiály, Z1/Z2 a RD1.. Nízke hodnoty kapacity DLTFS signálov potvrdili očakávanú vysokú kvalitu predložených výkonových SiC Schottkyho diód. Získané výsledky majú potenciál prispieť k lepšiemu pochopeniu vnútorných dejov v Schottkyho dióde narastenej na 6 palcovom substráte.