Diplomová práca sa zameriava na vytvorenie obvodového modelu výkonového DMOS tranzistora, implementáciu elektrického obvodového modelu do simulátoru Sentaurus a simuláciu jeho elektrotepelných vlastností. Teoretický úvod je venovaný popisu DMOS tranzistora, simulačného prostredia Sentaurus a problematike tvorby obvodového modelu tranzistora. Praktická časť je venovaná vytvoreniu obvodového modelu DMOS tranzistora a elektrotepelným simuláciám. Boli navrhnuté dve metódy určené pre simulácie elektrotepelných charakteristík. Nasledovala analýza geometrie nášho modelu v prostredí Sentaurus v ktorej sa zmenou vybraných parametrov analyzoval ich vplyv na elektrotepelné charakteristiky.