CRZP - detail kniha

DDP - Zverejnená diplomová práca

Simulácia a modelovanie elektrotepelných vlastností výkonového DMOS tranzistora

Autor: Potoma, Peter
Školiteľ: Chvála, Aleš
Oponent: Pinteš, Peter
Škola: Slovenská technická univ. v Bratislave FEI ÚEF (FEI)
Rok odovzdania: 2020
Trvalý odkaz - CRZP: https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=C67292DEA65D7A08E022FCCAC3F9

Primárny jazyk: slovenčina

Typ práce: Diplomová práca

Študijný odbor: 2613 | elektronika

Dátum zaslania práce do CRZP: 23.05.2020

Dátum vytvorenia protokolu: 23.05.2020

Dátum doručenia informácií o licenčnej zmluve: 09.06.2020

Elektronická verzia
: Prehliadať

Kľúčové slová (ostatné):

obvodový model Sentaurus elektrotepelné charakteristiky DMOS návrh

Abstrakt v primárnom jazyku

The diploma thesis focuses on the creation of circuit model of a power DMOS transistor, the implementation of an electrical circuit model in a Sentaurus simulator and the simulation of its electrothermal properties. The theoretical introduction is devoted to the description of the DMOS transistor, the Sentaurus simulation environment and the issue of creating a circuit model of the transistor while the practical part presents the creation of circuit model of a DMOS transistor and electrothermal simulations. Two methods have been proposed for simulations of electrothermal characteristics. This was followed by the analysis of the geometry of our model in the Sentaurus environment, in which the influence of selected parameters analyzed their influence on the electrothermal characteristics.