V tejto bakalárskej práci sme sa zaoberali prípravou a charakterizáciou ultratenkých vrstiev PtSe2, ako aj optimalizáciou ich rastu vzhľadom na elektrické vlastnosti. Práca poskytuje literárny prehľad metód prípravy, štrukturálnych vlastností a perspektívnych elektronických aplikácií založených na PtSe2. V práci sme najskôr vytvorili PtSe2 materiál pomocou dvojkrokovej metódy pozostávajúcej z magnetrónového naprašovania platinových vrstiev a následnej selenizácie, pričom sme sledovali vplyvy teploty a doby žíhania na vlastnosti a štruktúru materiálu. Pozorovali sme zlepšenie štrukturálnych aj elektrických vlastnosti pri vyššej teplote a kratšej doby žíhania. Po vyhodnotení výsledkov a určení konkrétnych parametrov selenizačného procesu sme ďalej skúmali vplyv meniaceho sa prietoku dusíka počas selenizácie na elektrické vlastnosti PtSe2, predovšetkým na pohyblivosť voľných nosičov náboja. Pozorovaná závislosť sa ukázala ako nepriama, pričom ovplyvňuje množstvo selénu zabudovaného vo vrstvách. Sledovali sme aj vplyv teploty prostredia pri elektrickom meraní na hodnoty pohyblivosti. Zloženie a vlastnosti vrstiev PtSe2 sme skúmali pomocou Ramanovej spektroskopie, RTG difrakčných meraní, AFM, SEM a elektrickým meraním vo Van der Pauw usporiadaní. Nakoniec sme sa venovali tvarovaniu pripravených vrstiev pomocou optickej litografie a suchého leptania. Tento krok je dôležitý pre prípravu elektronických súčiastok.