Práca sa venuje skúmaniu a optimalizácií vrstiev oxidov kovov Ga2O3 a NiO s pomocou štruktúrnej, optickej a elektrickej charakterizácií za účelom vytvorenia oxidovej PN heteroštruktúrnej fotodiódy, ktorá plní funkciu UV fotodetektora. V úvode popisujeme princíp fungovania fotodetektorov a sumarizujeme publikované práce o heteroštruktúrnych diódach. V rámci tejto práce boli pripravené vrstvy Ga2O3 pomocou LI-MOCVD s rôznymi depozičnými parametrami. Pomocou XRD (Ramanovej spektroskopie) sme zistili, že v prípade použitia substrátu zafíru v m-rovine vykazovali pripravené vrstvy oxidu kryštalinitou b-Ga2O3 a v prípade použitia zafíru v c-rovine mali vrstvy oxidu kryštalinitou b-Ga2O3. Vrstvy boli taktiež skúmané pomocou AFM, kde sa zistila uspokojivá drsnosť. Z UV-VIS optických meraní sme extrahovali zakázané pásma Ga2O3 zhodujúce sa s meraniami iných autorov. Keďže elektrické merania vykazovali neuspokojivo vysoký odpor, pristúpili sme k využitiu komerčného substrátu b-Ga2O3. Uskutočnili sme optimalizáciu teploty a atmosféry žíhania NiOx vrstiev pripravených naprašovaním, z ktorých najlepšie elektrické vlastnosti ponúkala vzorka žíhaná pri 400 °C v N2. Taktiež sme merali výbornú morfológiu pomocou AFM a zakázané pásmo NiO zhodujúce sa s literatúrou. Výsledná súčiastka Ti/Au/b-Ga2O3/NiO/Ni/Au úspešne vykazovala fotoodozvu pre UV žiarenie.