Toggle navigation
Hlavná stránka
Zoznam záznamov
Rozšírené hľadanie
Hľadať
DDP - Zverejnená diplomová práca
Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
Autor
Sobota, Michal
Školiteľ
Mikolášek, Miroslav
Oponent
Bruncko, Jaroslav
Škola
Slovenská technická univ. v Bratislave FEI ÚEF (FEI)
Rok odovzdania
2021
Trvalý odkaz - CRZP
https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=1D055279E2D1258CB57A2A1E7F1A
Primárny jazyk
slovenčina
Typ práce
Diplomová práca
Študijný odbor
2675 | *elektrotechnika
Dátum zaslania práce do CRZP
12.05.2021
Dátum vytvorenia protokolu
12.05.2021
Dátum doručenia informácií o licenčnej zmluve
17.07.2021
Elektronická verzia
Prehliadať
Kľúčové slová (ostatné):
Ga2O3
NiO
heteroštruktúra
fotodetektor
Abstrakt v primárnom jazyku
Práca sa venuje skúmaniu a optimalizácií vrstiev oxidov kovov Ga2O3 a NiO s pomocou štruktúrnej, optickej a elektrickej charakterizácií za účelom vytvorenia oxidovej PN heteroštruktúrnej fotodiódy, ktorá plní funkciu UV fotodetektora. V úvode popisujeme princíp fungovania fotodetektorov a sumarizujeme publikované práce o heteroštruktúrnych diódach. V rámci tejto práce boli pripravené vrstvy Ga2O3 pomocou LI-MOCVD s rôznymi depozičnými parametrami. Pomocou XRD (Ramanovej spektroskopie) sme zistili, že v prípade použitia substrátu zafíru v m-rovine vykazovali pripravené vrstvy oxidu kryštalinitou b-Ga2O3 a v prípade použitia zafíru v c-rovine mali vrstvy oxidu kryštalinitou b-Ga2O3. Vrstvy boli taktiež skúmané pomocou AFM, kde sa zistila uspokojivá drsnosť. Z UV-VIS optických meraní sme extrahovali zakázané pásma Ga2O3 zhodujúce sa s meraniami iných autorov. Keďže elektrické merania vykazovali neuspokojivo vysoký odpor, pristúpili sme k využitiu komerčného substrátu b-Ga2O3. Uskutočnili sme optimalizáciu teploty a atmosféry žíhania NiOx vrstiev pripravených naprašovaním, z ktorých najlepšie elektrické vlastnosti ponúkala vzorka žíhaná pri 400 °C v N2. Taktiež sme merali výbornú morfológiu pomocou AFM a zakázané pásmo NiO zhodujúce sa s literatúrou. Výsledná súčiastka Ti/Au/b-Ga2O3/NiO/Ni/Au úspešne vykazovala fotoodozvu pre UV žiarenie.
1699871